芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的復雜。
首先是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”
1, 芯片的原料晶圓
晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄,生產的成本越低,但對工藝就要求的越高。
2,晶圓涂膜
晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。
3,晶圓光刻顯影、蝕刻
該過程使用了對紫外光敏感的化學物質,即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上第一份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了,而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。
4、摻加雜質
將晶圓中植入離子,生成相應的P、N類半導體。
具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開始,放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)的導電方式,使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。簡單的芯片可以只用一層,但復雜的芯片通常有很多層,這時候將這一流程不斷的重復,不同層可通過開啟窗口聯接起來。這一點類似多層PCB板的制作原理。 更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層,這時候通過重復光刻以及上面流程來實現,形成一個立體的結構。
5、晶圓測試
經過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的,組織一次針測試模式是非常復雜的過程,這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規(guī)格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本就會越低,這也是為什么主流芯片器件造價低的一個因素。
6、封裝
將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式,這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。比如:DIP、QFP、PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應用習慣、應用環(huán)境、市場形式等外圍因素來決定的。
7、測試、包裝
經過上述工藝流程以后,芯片制作就已經全部完成了,這一步驟是將芯片進行測試、剔除不良品,以及包裝。
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